单晶硅压力变送器具有响应速度快、精度高、稳定性好等特点而广受客户的选用。但单晶硅压力变送器的传感器因采用了硅弹性材料的压阻效应、半导体工艺和MESM加工技术，使得其精度高、灵敏度高的同时也容易受温度的影响。因传感器易受温度的影响，因此在压力变送器的实际应用时要进行温度漂移的补偿。温度漂移补偿主要分为零点温度漂移补偿和灵敏度温度漂移补偿。

       零点温度漂移补偿是对惠斯顿电桥内四个电阻初始值不匹配造成的零点漂移进行补偿，补偿方法一般是采用在惠斯顿电桥上进行串并联电阻的方式进行。零点温度漂移补偿电路图如图一所示。其中R1-R4为惠斯顿电桥的四个电阻，串联电阻Rs为调零电阻，并联电阻为Rp为补偿电阻。两个电阻通常选择温度系数极小的材料制作而成。当硅膜片无形变的时候，由于零点温度漂移，VOUT 不为零。当温度升高时，假设R2 增加比较大，将使D点电位低于B点，VBD 即为零点的温度漂移电压值。在R2上串一个阻值较大的负温度系数电阻Rp，使温度升高时，用于抵消R2 的增加量，从而消除或减小VBD进而达到补偿的目的。

       利用此种方法对零点温度漂移补偿最关键的是找到温度系数与惠斯顿电桥电阻温度系数相反的补偿电阻，深圳优威仪表通过稀有材料精密激光切割的形式对补偿电阻进行调节，使其硬件补偿一致性做到完美匹配，为传感器的测量精度提供最优保障。

零点温度漂移补偿电路图